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Subjects
Class 12 Chemistry Chapter 01: Solutions 4: Vapour Pressure Medium Level 10

किसी विलयन का वास्तविक वाष्प दाब राउल्ट नियम से कम है। इसका सबसे उचित कारण क्या हो सकता है?

The actual vapour pressure of a solution is lower than Raoult's law value. What may be the most suitable reason?

Author: Muft Shiksha Editorial Team Published: Updated:
Correct answer and explanation
Correct Answer

A. घटकों के बीच नया आकर्षण अधिक मजबूत हैNew attraction between components is stronger

Step 1

Concept

वास्तविक वाष्प दाब कम होने का अर्थ है कि कण वाष्प में कम जा रहे हैं। / Lower actual vapour pressure means particles are escaping less into vapour.

Step 2

Why this answer is correct

यह घटकों के बीच मजबूत आकर्षण के कारण हो सकता है। / This can happen due to stronger attraction between components.

Step 3

Exam Tip

मजबूत आकर्षण को ऋणात्मक विचलन और कम वाष्प दाब से जोड़ें। / Link stronger attraction with negative deviation and lower vapour pressure.

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किसी विलयन का वास्तविक वाष्प दाब राउल्ट नियम से कम है। इसका सबसे उचित कारण क्या हो सकता है? / The actual vapour pressure of a solution is lower than Raoult's law value. What may be the most suitable reason?

Correct Answer: A. घटकों के बीच नया आकर्षण अधिक मजबूत है / New attraction between components is stronger. Explanation: चरण 1: वास्तविक वाष्प दाब कम होने का अर्थ है कि कण वाष्प में कम जा रहे हैं। चरण 2: यह घटकों के बीच मजबूत आकर्षण के कारण हो सकता है। चरण 3: मजबूत आकर्षण को ऋणात्मक विचलन और कम वाष्प दाब से जोड़ें। / Step 1: Lower actual vapour pressure means particles are escaping less into vapour. Step 2: This can happen due to stronger attraction between components. Step 3: Link stronger attraction with negative deviation and lower vapour pressure.

Why is option A correct in this Chemistry MCQ?

यह घटकों के बीच मजबूत आकर्षण के कारण हो सकता है। / This can happen due to stronger attraction between components.

What should I remember for this Chemistry concept?

मजबूत आकर्षण को ऋणात्मक विचलन और कम वाष्प दाब से जोड़ें। / Link stronger attraction with negative deviation and lower vapour pressure.