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Subjects
Class 12 Chemistry Chapter 01: Solutions 5: Colligative Properties Medium Level 14

यदि किसी अवाष्पशील विलेय को जल में घोला जाए, तो वाष्प दाब अवनमन का मुख्य कारण क्या होता है?

If a non-volatile solute is dissolved in water, what is the main reason for lowering of vapour pressure?

Author: Muft Shiksha Editorial Team Published:
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Correct Answer

A. विलायक अणुओं की सतह पर संख्या घटनाDecrease in number of solvent molecules at the surface

Step 1

Concept

अवाष्पशील विलेय वाष्प में नहीं जाता। / A non-volatile solute does not enter the vapour phase.

Step 2

Why this answer is correct

उसके कण सतह पर कुछ स्थान घेरते हैं, जिससे विलायक अणु कम निकल पाते हैं। / Its particles occupy some surface area, so fewer solvent molecules escape.

Step 3

Exam Tip

परीक्षा में वाष्प दाब अवनमन को सतह पर उपलब्ध विलायक अणुओं से जोड़कर समझें। / In exams, connect vapour pressure lowering with fewer solvent molecules at the surface.

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यदि किसी अवाष्पशील विलेय को जल में घोला जाए, तो वाष्प दाब अवनमन का मुख्य कारण क्या होता है? / If a non-volatile solute is dissolved in water, what is the main reason for lowering of vapour pressure?

Correct Answer: A. विलायक अणुओं की सतह पर संख्या घटना / Decrease in number of solvent molecules at the surface. Explanation: चरण 1: अवाष्पशील विलेय वाष्प में नहीं जाता। चरण 2: उसके कण सतह पर कुछ स्थान घेरते हैं, जिससे विलायक अणु कम निकल पाते हैं। चरण 3: परीक्षा में वाष्प दाब अवनमन को सतह पर उपलब्ध विलायक अणुओं से जोड़कर समझें। / Step 1: A non-volatile solute does not enter the vapour phase. Step 2: Its particles occupy some surface area, so fewer solvent molecules escape. Step 3: In exams, connect vapour pressure lowering with fewer solvent molecules at the surface.

Why is option A correct in this Chemistry MCQ?

उसके कण सतह पर कुछ स्थान घेरते हैं, जिससे विलायक अणु कम निकल पाते हैं। / Its particles occupy some surface area, so fewer solvent molecules escape.

What should I remember for this Chemistry concept?

परीक्षा में वाष्प दाब अवनमन को सतह पर उपलब्ध विलायक अणुओं से जोड़कर समझें। / In exams, connect vapour pressure lowering with fewer solvent molecules at the surface.